碳化硅肖特基二极管厂

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碳化硅 IGBT器件的优势应用范围为10kV以上的高压领域。在这一领域中，碳化硅MOSFET器件会面临通态电阻过高的问题，但是在10kV以下的应用中，碳化硅IGBT 相对于碳化硅MOSFET 的优势并不十分明显。在15 kV以上的应用领域，碳化硅IGBT综合了功耗低和开关速度快的特点，相对于碳化硅的MOSFET以及硅基的IGBT、晶闸管等器件具有的技术优势，特别适用于高压电力系统应用领域。新型高温高压碳化硅IGBT器件将对大功率应用，特别是电力系统的应用产生重大的影响。可以预见的是，高压碳化硅IGBT器件将和PiN二极管器件一起，成为下一代智能电网技术中电力电子技术相当核心的器件。

 

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