增强模式MOSFET基于公司的πMOS VIII（PI-MOS-8）第八代平面半导体工艺，整合了高水平单元集成和优化单元设计。该技术支持降低栅极电荷和电容，而不会牺牲RDS(ON) 低的优势。
这些MOSFET是DTMOS IV 800V超结DTMOS4器件的低电流补充。2.5A TK3A90E和4.5A TK5A90E的VDSS额定值为900V，典型RDS(ON)分别为3.7Ω和2.5Ω。4.0A TK4A80E和5.0A TK5A80E器件的VDSS额定值均为800V，典型RDS(ON)分别为2.8Ω和1.9Ω。最大漏电流很低，仅10μA（VDS = 60V），栅极阈值电压范围为2.5~4.0V（在VDS为10V和漏极电流为0.4mA时）。所有器件均采用标准TO-220SIS封装。
目标应用包括LED照明中的反激变换器、辅助电源和其它要求电流开关低于5A的电路。
