该MOSFET声称能够实现高速切换，电容低，雪崩耐量高，具有快速本征二极管和低反向恢复（Qrr），并且很容易并行和驱动。它实现了更小巧、更高效的新一代功率转换系统。
该MOSFET设计支持新的1,500V总线高频电力电子应用，包括可再生能源逆变器、电池充电系统、辅助电源和三相工业电源。
主要特性包括：阻断电压为1700V，额定电流为72A @ 25℃。RDS(ON)为45mΩ @ 25℃，总开关损耗为3mJ。最高结温为+150℃。
该MOSFET采用TO-247-3封装。
该MOSFET声称能够实现高速切换，电容低，雪崩耐量高，具有快速本征二极管和低反向恢复（Qrr），并且很容易并行和驱动。它实现了更小巧、更高效的新一代功率转换系统。
该MOSFET设计支持新的1,500V总线高频电力电子应用，包括可再生能源逆变器、电池充电系统、辅助电源和三相工业电源。
主要特性包括：阻断电压为1700V，额定电流为72A @ 25℃。RDS(ON)为45mΩ @ 25℃，总开关损耗为3mJ。最高结温为+150℃。
该MOSFET采用TO-247-3封装。
