碳化硅肖特基二极管厂

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碳化硅MOSFE一直是相当受瞩目的碳化硅开关管，它不仅具有理想的栅极绝缘特性、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性，而且其驱动电路非常简单,并与现有的电力电子器件(硅功率MOSFET和IGBT)驱动电路的兼容性是碳化硅器件中相当好的。

  SiC MOSFET器件长期面临的两个主要挑战是栅氧层的长期可靠性问题和沟道电阻问题。其中沟道电阻大导致导通时的损耗大，为减少导通损耗而降低导通电阻和提高栅氧层的可靠性的研发一直在进行。降低导通电阻的方法之一是提高反型沟道的载流子迁移率，减小沟道电阻。为了提高碳化硅MOSFET栅氧层的质量，降低表面缺点浓度，提高载流子数量和迁移率，一种相当通用的办法是实现生长界面的氮注入，也被称为界面钝化，即在栅氧层生长过程结束后，在富氮的环境中进行高温退火，这样可以实现沟道载流子迁移率的提高，从而减小沟道电阻，减小导通损耗。降低导通电阻的方法之二是采用在栅极正下方开掘沟槽的沟槽型栅极结构。目前已经投产的SiCMOSFET都是“平面型”。平面型在为了降低沟道电阻而对单元进行微细化时，容易导致JFET电阻增大的问题，导通电阻的降低方面存在一定的局限性。而沟槽型在构造上不存在JFET电阻。因此，适于降低沟道电阻、减小导通电阻，但是Si沟槽型MOSFET目前尚未解决沟槽刻蚀之后侧壁沟道的表面问题。

 

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