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碳化硅肖特基 碳化硅肖特基二极管 碳化硅肖特基二极管厂 佳讯供
由于受到工艺技术的制约，碳化硅IGBT的起步较晚，高压碳化硅IGBT面临两个挑战：第一个挑战与碳化硅MOSFET器件相同，沟道缺点导致的可靠性以及低电子迁移率问题;第二个挑战是N型IGBT需要P型衬底，而P型衬底的电阻率比N型衬底的电阻率高50倍。因此，1999年制成的第一个IGBT采用了P型衬底。经过多年的研发，逐步克服了P型衬底的电阻问题，2008年报道了13kV的N沟道碳化硅IGBT器件，比导通电阻达到22mΩ×cm2。有报道对15kV的N-IGBT和MOSFET的正向导通能力做了一个比较，结果显示，在结温为室温时，在芯片功耗密度为200 W/cm2以下的条件下，MOSFET可以获得更大的电流密度，而在更高的功耗密度条件下，IGBT可以获得更大的电流密度。在结温为127ºC时，IGBT在功耗密度为50 W/cm2以上的条件下就能够导通比MOSFET更高的电流密度。同一年，该团队还报道了阻断电压达到12 kV的P沟道碳化硅IGBT，导通比电阻降到了14mΩ×cm2，体现了明显的电导调制能力。
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