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 目前，碳化硅JFET器件以及实现一定程度的产业化，主要由Infineon和SiCED公司推出的产品为主。产品电压等级在1200V、1700V，单管电流等级相当高可以达20A，模块的电流等级可以达到100A以上。2011年，田纳西大学报到了50kW的碳化硅模块，该模块采用1200V/25A的SiC JFET并联，反并联二极管为SiC SBD。2011年，Global Power Electronics研制了使用SiC JFET制作的高温条件下SiC三相逆变器的研究，该模块峰值功率为50kW(该模块在中等负载等级下的效率为98.5%@10kHz、10kW，比起Si模块效率更高。2013年Rockwell 公司采用600V /5A MOS增强型JFET以及碳化硅二极管并联制作了电流等级为25A的三相电极驱动模块，并与现今较为先进的IGBT、pin二极管模块作比较：在同等功率等级下(25A/600V)，面积减少到60%，该模块旨在减小通态损耗以及开关损耗以及功率回路当中的过压过流。

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